Laveurs combustion et humide.
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Ce type d'équipement permet, par des étapes successives de traitements humides et thermiques, de supprimer ou de diminuer fortement le caractère dangereux (toxicité, effet de serre) d'un rejet gazeux avant de le renvoyer dans l'atmosphère. Il est recommandé, lorsque les rejets gazeux à traiter contiennent des composés halogènes (HCl, HBr...) ou métalliques (WF6) de protéger le sytème en intégrant un laveur à l'entrée. En effet, ces gaz extrêmement corrosifs sont suceptibles de détériorer des éléments du circuit. Cette option est fournie avec les séries de laveurs SWB. Les séries de laveurs SBW sont livrées sans cette option. L'unité principale du système est le brûleur échauffé électrique. Il permet de décomposer et oxyder, à haute température, les gaz insolubles dans l'eau. La distribution et le contrôle de la température dans la chambre de combustion sont très importants. Le gaz doit être porté au dela d'un seuil de température nécessaire à sa décomposition. Au cours de cette étape, d'autres gaz corrosifs ou solubles dans l'eau sont générés ainsi qu'une quantité non négligeable de poudres . Pour une élimination efficace de ces poudres, le composé gazeux est à nouveau mélangé à de l'eau dans une première unité (swirl unit), qui par un mouvement tourbillonnaire sépare les solides des fluides, pour ensuite subir un nouveau lavage qui éliminera les traces de poudre restantes. Le fluide traversera enfin le laveur principal qui permettra d'éliminer définitivement les gaz encore solubles. Le résiduel gazeux passe finalement à travers un séparateur de buée avant d'être rejeté dans l'atmosphère. Un dispositif de refroidissement peut être installé sur le circuit d'eau.
Les différents modèles de ce système sont disponibles dans le tableau ci-dessous. Tous les éléments principaux sont en acier inoxydable (316), la chambre de combustion est en Inconel et la pompe de circulation d'eau est protégée par du Teflon. Le réacteur thermique est équipé d'un système de chauffe multi-construction doté d'un dispositif d'auto-nettoyage. Le contrôle de l'équipement et du procédé est assuré par un automate programmable,un dispositif de détection de l'énergie consommée par le brûleur, la commande du chauffage par Thyristor et la visualisation des données par un afficheur à cristaux liquides (LCD). Un contrôleur central, type PC, est également disponible. Cette option permet le contrôle simultané de plusieurs stations de traitement et un suivi permanent du fonctionnement de chacune d'elles. Le système est parfaitement sécurisé pour l'utilisateur et l'environnement. Coupe-circuits électriques, détecteurs de fuites d'eau et de surchauffe sont montés sur les équipements. Ce système, d'un très faible encombrement, a été développé et construit pour un coût d'utilisation minimum.
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| SBW200 |
SWB200 |
SBW201 |
Modèle pour la décomposition et l'oxydation à haute température et la dissolution des gaz par lavage avec un système de recyclage de l'eau. Convient pour le traitement des rejets provenant d'implanteurs ioniques, de réacteurs PE-CVD, LP-CVD, AP-CVD et MO-CVD (opto-électronique).
Modèle pour la décomposition des gaz pouvant intégrer, une station de pré-lavage en entrée. Le traitement s'effectuera en trois étapes : Dissolution d'une partie des gaz et résidus dans une station de pré-lavage + décomposition et oxydation des gaz dans une chambre de combustion à haute température + nouveau traitement des gaz solubles dans une station de lavage à eau recyclée. Convient pour le traitement des rejets provenant de réacteurs PE-CVD, (semiconducteurs et afficheurs à cristaux liquides (LCD)), LP-CVD, AP-CVD et MO-CVD (opto-électronique).
Grand modèle consister en plusiers réacteur haute température parallèle, et une station principale de lavage. Le traitement du gaz est effectuée en trois étapes : Dissolution d'une partie des gaz et résidus dans une station de pré-lavage, décomposition et oxydation des gaz dans une chambre de combustion à haute température, traitement des gaz solubles recomposés dans une station de lavage à eau recyclée. Ce système est utilisé pour la fabrication des afficheurs à cristaux liquides (LCD manufacturing) en association avec des réacteurs PE-CVD, for MO-CVD (opto-électronique) et les réacteurs d'épitaxie.
Les composés chimiques suivants peuvent
être extraits des rejets gazeux. Ce tableau indique les concentrations des gaz en sortie
de station pour une concentration d'entrée donnée ainsi que
les valeurs de référence TLV (Threshold Limit Values). La
réaction chimique décrit le phénomène
d'oxydation dans le brûleur. HCl, HF, Cl2 sont piègés et
dissouts par l'eau. Le Chlore par exemple, se combine avec
l'hydrogène de l'eau pour former des composés liquides acides comme HCl
et HClO.
| Gaz | Max. entrée
concentration in ppm |
Min. sortie
concentration in ppm |
TLV in ppm |
Efficacité in % |
Réaction Chimique (brûleur) |
| AsH3 | 5,000 | 0.01 | 0.05 | >99.99 | 2 AsH3 + 3 O2 As2O3+ 3 H2O |
| B2H6 | 2,500 | 0.01 | 0.1 | >99.99 | B2H6 + 3 O2B2O3+ 3 H2O |
| C2F6 | 50,000 | 1200 | n.a. | 97.60 | C2F6 + 2 O2+ 3 H22 CO2 + 6 HF |
| Cl2 | 10,000 | 1 | 1 | 99.99 | stable |
| GeH4 | 4,000 | 0.02 | 0.2 | >99.98 | GeH4 + 2 O2GeO2 + 2 H2O |
| H2 | 125,000 | 0.5 | 5 | >99.99 | 2 H2 + O22 H2O |
| HCl | 3,000 | 1 | 5 | 99.97 | stable |
| NF3 | 50,000 | 5 | 10 | 99.99 | 4 NF3 + 3 O22 N2+ 6 OF2 |
| NH3 | 10,000 | 5 | 25 | 99.95 | 4NH3 + 3 O22 N2+ 6 H2O |
| PH3 | 6,000 | 0.01 | 0.3 | >99.99 | 2 PH3+ 4 O2P2O5+ 3 H2O |
| SF6 | 5,000 | 75 | 1,000 | 98.50 | SF6 + O2
+ 3 H2SO2 + 6 HF |
| SiF4 | 4,000 | 1 | n.a. | 99.98 | SiF4 + O2SiO2 + 2 F2 |
| SiH2Cl2 | 1,000 | 1 | 5 | 99.90 | 2 SiH2Cl2+ 3 O22 SiO2 + 2 H2O + 2 Cl2 |
| SiH4 | 16,000 | 0.5 | 5 | >99.99 | SiH4 + 2 O2SiO2 + 2 H2O |
| Procédé | Gaz caractéristiques | Type d'équipement conseillé | |
| Gravure sèche | Metal | Cl2, BCl3, SiCl4, CHF3, CF4, SF6 | SSD or SWB |
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Poly silicon | HBr, Cl2, NF3, SF6 | SSD or SWB |
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Nitride | HBr, CF4, SF6 | SSD or SWB |
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W, Al Oxide | Cl2, SF6, CHF3, CF4, NF3 | SSD or SWB |
| PE-CVD | BPSG | TEOS, TMP, TMB, N2O, SIH4, B2H6, PH3, C2F6/NF3 | SBW |
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PSG | SiH4, PH3, N2O, TEOS, TMP, C2F6/NF3 | SBW |
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Oxide/Nitride | SiH4, NH3, N2O, C2F6/NF3 | SBW |
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Tungston | WF6, NF3, SiH4 | SBW |
| LP-CVD | Nitride | DCS, NH3 | SBW |
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Poly silicon | SiH4 | SBW |
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(doped) TEOS | TEOS, PH3 | SBW |
| Implantation Ionique | B2H6, BF3, PH3, AsH3, Ar | SSD or SBW | |
| MO-CVD | GaAs | H2, AsH3, MO sources | SBW |
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InP | H2, PH3, AsH3, MO sources | SBW |
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GaN | H2, NH3, MO Sources | SBW |
