Vertikalöfen für 300mm Wafer

JTEKT Thermo Systems wird in Europa vertreten durch
Crystec Technology Trading GmbH

VF-5700

Vertikalofen mit hohen Aufheiz- und Abkühlraten


Der VF-5700 ist ein Mini-Batch-Ofen der Heizelemente verwendet, die schnell auf eine hohe Temperatur heizen können, aber auch schnell abkühlen können, dabei ermöglichen sie Q-TAT. Der VF-5700 ist ideal für die Verwendung in Forschung- und Entwicklungsprogrammen, weil er für kleine Durchläufe verwendet werden kann und verschiedene Komponenten gleichzeitig handhaben kann.


Zusammenfassung

Der Vertikalofen VF-5700 ist ein Mini-Batch-Ofen für 200mm und 300mm Wafer, der eine neue Generation LGO-Heizelement nutzt. Die neue Version dieser Heizelemente ermöglicht noch höhere Aufheiz- und Abkühlraten und stellt eine hervorragende Temperaturgleichmäßigkeit sicher. Die Stärken dieser Anlage liegen in der Prozessierung kleiner Lose und den erzielbaren sehr guten Prozessergebnissen. Ein spezieller Roboter stellt niedrige Partikelwerte und hohen Durchsatz sicher. 4 Kassetten können auf einem Karussell gespeichert werden, was für zwei volle Beladungen ausreichend ist. Der Ofen enthält ein speziell entworfenes Quarzboot  für 30 300mm Wafer. Der neue Rechner arbeitet auf Windows NT Basis. Optional sind load lock, Kühlgebläse und Bootrotation erhältlich.

Jetzt ist auch eine FOUP-Version verfügbar. In diesem Fall werden die Wafer direkt von einem Roboter aus der geöffneten WaferKassette in das Quarzboot umgehordet. Auf diese Art und Weise können geringe Standfläche, hohe Performance und niedriger Preis miteinander kombiniert werden.


Eigenschaften

1. Schnelle Aufheizung und Abkühlung
Der doppelwandige LGO Heizer ermöglicht max. Aufheizraten von 60°C/Min und max. Abkühlraten von  50°C/Min.

2. Mini-batch Bearbeitung
Ideal für die Prozessierung kleiner Lose und F&E.

3. Beladesystem
Einfacher Aufbau bedingt zuverlässigen und wartungsarmen Betrieb.

4. Steuerung
Basiert auf Windows NT.


VF-5700

Spezifikation
Wafergröße 300mm 8"
Außendimensionen(mm) W1100 x D2250 x H2900 W900 x D1850 x H2450
Ladungsmenge 26/50 50
Beständige Behandlung 2batch
Heizer Double Shell LGO Heizer
Servicetemperatur 300 - 1050°C
Fläche(mm) 500
Temperaturensteuerung 3zone
Kassettenspeicher 4
Prozesskassetten 2
Dummykassetten 1
Monitorkassetten 1
Waferbeladung vacuumless
Finger 5/1
Steuerung Modell 1200
Geeignet für SECS möglich
Geeignet für AGV nicht möglich
Geeignet für SMIF/FOUP nicht möglich

Prozess - Übersicht
Pyro.Ox Thick
film
Pyro.Ox Thin
film
P-D-Poly Poly-Si HTO Si3N4 TEOS
Reaktionsgas O2.H2 O2.H2 SiH4.PH3.H2 SiH4 SiH2Cl2.N2O SiH2Cl2.NH3 Si(C2H5O)4.O2
Wachstumstemp.(C°) 1000 - 1250 800 - 1000 550 - 600 600 - 620 870 - 890 770 - 800 - 750
Wachstumsrate(A/min) - - 12 - 20 60 - 100 40 - 50 20 - 50 - 100
Waferanzahl(sheet) 150 150 25 100 100 100 100/50
Dichtigskeits-
variation(%)
Innerer Wafer 2 2 3 2 3 3 4 3
Wafer im Zwischenraum 2 2 2 2 3 2 3 2
Ladung im Zwischenraum 2 2 2 1 2 2 2 2




Crystec Technology Trading GmbH, Germany, www.crystec.com, +49 8671 882173, FAX 882177
Linie

VF-5900


Zusammenfassung

Der VF5900, der für die Prozessierung von 300mm Wafern entwickelt wurde, kann bis zu 12 FOUPs Kassetten (Front Opening Unified Pods) laden und bis zu zwei Lose mit je 100 Produktionswafern kontinuierlich bearbeiten. Die FOUPs werden von der Übergabestation in eine Regalstation überführt. Nur die wirklich benötigten Kassetten werden zur Übergabestation für das Quarzboot transferiert. Die Umhordung erfolgt über eine Z-Theta Roboter und vakuumlose Pinzetten. Das Quarzboot ist in einer Leiterstruktur ausgeführt um Sliplines zu vermeiden. Der VF5900 nutzt ein JTEKT (ehemals Koyo Thermo Systems) LGO Heizelement und besitzt ein Gebläsekühlsystem zur schnelleren Abkühlung des Rohres nach Prozessende. Eine Stickstoff-Loadlock ist verfügbar. Das System ist mit einer modernen, Windows-kompatiblen und benutzerfreundlichen Steuerung Typ 1400 ausgerüstet, die den SEMI und HSMS Standards entspricht und SECSII und GEM kompatibel ist.


1. Rapid furnace heat-up/cool-down
Rapid furnace heat-up/cool-down
The double-shell LGO heating element enables a maximum heating rate of 60°C/min and a maximum cooling rate of 50°C/min. The ability to load the furnace at low temperatures means that the throughput is not reduced due to the short heat-up times.

2. Mini-batch processing
Ideal for small-lot production and R&D applications.

3. Transfer system
The simple structure means ease of maintenance.

4. Controller
Windows is used to enhance control

Eigenschaften

1. Hohe Prozesskapazität
Bis zu je 100 Wafer können kontinuierlich in zwei Losen bearbeitet werden.

2. Neu entwickelte LGO Heizer
Der Ofen besitzt Heizer für Prozessen mit niedrigen Temperaturen.

3. N2 load lock
Die gasdichte Beladestation wurde in Hinsicht auf die Erhöhung des Durchsatzes optimiert.

4. Einfache Bedienung
Die Steuerung ist durch die Verwendung der Modell 1400 Steuerung, die industrielle Datenverarbeitung ermöglicht, vereinfacht worden. (HSMS und GEM kompatibel.)

5. Wartungsfreundlichkeit
Der FOUPs Speicher kann vom Hauptofen abgetrennt werden.

6. Standfläche
Nur die Haupteinheit des VF-5900 muss im Reinraum aufgestellt werden. Die Versorgungseinheit kann im Untergeschoss montiert werden und so die notwendige Reinraumfläche reduzieren


VF-5900

Spezifikation
Modell VF-5900
Wafergröße 300mm
Außendimensionen (mm) W1200 x D2750 x H3350
Ladungsmenge 100
Beständige Behandlung 2 batch
Heizer LGO Heizer
Servicetemperatur 300 - 1050°C
Fläche(mm) 1060
Temperaturensteuerung 4zone
Kassettenspeicher 12
Prozesskassetten 8
Dummykassetten 2
Monitorkassetten 2
Waferbeladung vacuumless
Finger 5+1
Steuerung Model 1400
Geeignet für SECS möglich
Geeignet für AGV möglich
Geeignet für SMIF/FOUP möglich

Prozess - Übersicht
Pyro.Ox Thick
film
Pyro.Ox Thin
film
P-D-Poly Poly-Si HTO Si3N4 TEOS
Reaktionsgas O2.H2 O2.H2 SiH4.PH3.H2 SiH4 SiH2Cl2.N2O SiH2Cl2.NH3 Si(C2H5O)4.O2
Wachstumstemp.(C°) 1000 - 1250 800 - 1000 550 - 600 600 - 620 870 - 890 770 - 800 - 750
Wachstumsrate(A/min) - - 12 - 20 60 - 100 40 - 50 20 - 50 - 100
Waferanzahl(sheet) 150 150 25 100 100 100 100/50
Dichtigskeits-
variation(%)
Innerer Wafer 2 2 3 2 3 3 4 3
Wafer im Zwischenraum 2 2 2 2 3 2 3 2
Ladung im Zwischenraum 2 2 2 1 2 2 2 2

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Linie

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