RTP-Anlagen und RTA-Anlagen

RTA- (rapid thermal annealing) und RTP-Anlagen (rapid thermal processing) arbeiten mit Lampenheizungen und ermöglichen schnelle Aufheizung und Abkühlung von Halbleiterscheiben (Silicium, Germanium, GaAs, III/V-Halbleiter, SiC) und Glaswafern (auf einem Suszeptor). Diese Kurzzeittemperanlagen werden daher vorwiegend für Anwendungen genutzt, bei denen das Substrat nur kurzzeitig auf eine bestimmte Temperatur gebracht werden muss. Die hohen Aufheiz- und Abkühlraten ermöglichen kurze Prozesszeiten und halten das thermische Budget der Wafer (also die Gesamtzeit die ein Wafer hohen Temperaturen ausgesetzt ist) niedrig. Die Temperaturmessung und -steuerung erfolgt typischerweise kontaktlos über ein Pyrometer, das die Wellenlänge der ausgesandten Lichtstrahlung der Probe in die Temperatur umrechnet. Aufgrund der Anordnung der Heizung sind RTA- oder RTP-Anlagen als Einzelwaferanlagen ausgelegt, d.h. sie können nur jeweils einen Wafer gleichzeitig prozessieren. Da die Prozesszeit in der Regel sehr kurz ist, ist dieser Umstand nicht so wichtig wie bei den ansonsten für thermische Prozesse eingesetzten Vertikalöfen oder Horizontalöfen. Dennoch nimmt die Be- und Entladung der Kammer einen wesentlichen Teil der Bearbeitungszeit in Anspruch.
JTEKT (ehemals Koyo Thermo Systems) hat langjährige Erfahrung in der Produktion lampengeheizter RTA- und RTP-Anlagen und ist einer der Marktführer für solche Anlagen in Asien, obwohl in Europa diese Anlagen noch nicht so bekannt sind wie die Anlagen der anderen großen Hersteller Applied Materials und AST / STEAG /Mattson.

Temperaturprofil einer RTP- bzw. RTA-Anlage

RTP Anlagen Modelle

Lampengeheizte RTP Anlagen

Es gibt von JTEKT Thermo Systems verschiedene Versionen konventioneller, lampengeheizter RTP Systeme: manuelle Anlagen vom Typ RLA1200 für Forschung und Entwicklung, vollautomatischen Systeme vom Typ RLA3100 sowie RLA3300 (für 300mm Wafer) und das Model RLA4100/4200 das mit einer Vakuumschleuse arbeitet.

JTEKT Thermo Systems RTP Anlagen bieten ein einzigartiges Halogenlampenarrangement mit zwei Sätzen gekreuzter Lampen über und unter der Probe. Der Einsatz eines patentierten Temperaturverteilungssystems führt zu einzigartig guten Temperaturgleichmäßigkeiten und Prozeßwiederholbarkeiten und vermeidet die Entstehung von Slip Lines.

Lampenhaus

RLA-1200: Lampen-Temperanlage für Forschung & Entwicklung

Die RLA-1200 ist ein hochmodernes Lampen-Temper-System für 4- bis 8-Zoll-Wafer, das selbst im anspruchsvollen F&E-Bereich eine herausragende Prozessqualität gewährleistet. Aktivierung und Oxidation können sowohl in einer Vakuum-(LP)-Umgebung als auch in einer N2-Load-Lock-Atmosphäre durchgeführt werden. Damit bietet die Anlage maximale Flexibilität für unterschiedlichste Anwendungen und garantiert präzise Ergebnisse bei gleichzeitig effizientem Betrieb.

Ihre Vorteile auf einen Blick

  • Hochleistungsprozesse speziell für Forschung und Entwicklung.
  • Kosteneffizienz durch manuelle Suszeptor-Übertragung.
  • Innovative obere und untere Kreuzlampenstruktur sowie Tiefofen für optimale Temperaturgleichmäßigkeit.
  • Flexibel einsetzbar für Wafergrößen von 4 bis 8 Zoll.
  • Benutzerfreundliches Hochleistungs-Kontrollsystem für einfache Bedienung und präzise Steuerung.
  • Vakuum-Design-Quarzrohr für exakten Gasaustausch und zuverlässige Prozesse bei Vakuumdruck.
RLA 1200

RLA-3100: Fortschrittliche Lampen-Temperanlage für Kontakt-Annealing

Die RLA-3100 Serie setzt neue Maßstäbe in der Kontakt-Temperung von Wafern. Mit Vakuum-Load-Lock an der Prozesskammer und N2-Load-Lock am Transportsystem steigert sie den Durchsatz erheblich und sorgt für maximale Effizienz. Ob Silizium, Galliumnitrid oder Siliziumkarbid, die Anlage unterstützt eine breite Palette an Materialien und garantiert präzise, reproduzierbare Ergebnisse für Forschung, Entwicklung und Produktion.

Ihre Vorteile auf einen Blick

  • Flexibilität durch Unterstützung von Wafergrößen bis zu 8 Zoll.
  • Automatisierte Suszeptor-Übertragung für SiC- und GaN-Wafer – effizient und zuverlässig.
  • Halogenlampen in innovativer Kreuzanordnung für gleichmäßige Temperaturverteilung.
  • Präzise Prozessführung durch 6-Zonen-Steuerung mit individueller Leistungsregelung.
  • Berührungslose Temperaturmessung mit Strahlungspyrometern und intelligenter Feedback-Kontrolle.
RLA 3100

RLA-3300: Lampen-Temperanlage für Kontakt-Annealing (300mm Wafer)

Mit dem RLA-3300 präsentiert sich die Weiterentwicklung des erfolgreichen RLA-3100 – jetzt optimiert für 300-mm-Wafer. Das System kombiniert modernste Technologien mit hoher Prozesssicherheit und überzeugt durch ein exzellentes Kosten-Nutzen-Verhältnis. Dank innovativer Architektur und integrierten Automatisierungslösungen ist das RLA-3300 ideal für anspruchsvolle Anwendungen in Forschung und Produktion.

Ihre Vorteile auf einen Blick

  • Optimiert für 300-mm-Wafer.
  • Herausragende Temperaturgleichmäßigkeit durch Kreuzlampenstruktur, 22 Zonen und Wafer-Rotation.
  • Zuverlässiges Wafer-Handling mit Multi-Achs-Clean-Roboter für maximale Produktivität.
  • Intuitiver Hochleistungs-Controller für einfache Bedienung und präzise Steuerung.
  • Exzellentes Kosten-Nutzen-Verhältnis durch gezielt limitierte Funktionen.
  • Integrierter 2-FOUP-Opener mit FOUP-Axis-Clean-Roboter für optimierten Materialfluss.
RLA 3300

RLA-4100-V / RLA-4200-V: Effizienzsteigerung durch Vakuum-Load-Lock-Technologie

Die Modelle RLA-4100-V und RLA-4200-V bieten modernste Lampen-Tempertechnik für Kontakt-Annealing-Prozesse. Mit ihrer standardmäßig integrierten Vakuum-Load-Lock-Funktion an Kammer und Transporteinheit steigern sie den Durchsatz erheblich und sorgen für maximale Effizienz. Ob Silizium, Galliumnitrid oder Siliziumkarbid – die Systeme unterstützen Wafergrößen von 6 bis 8 Zoll und liefern präzise, reproduzierbare Ergebnisse für Forschung, Entwicklung und Produktion. Das neue 2-Kammer-Design kombiniert optimierte Transport- und Kühlsektionen und erreicht eine bis zu 2,4-fach höhere Produktivität im Vergleich zum herkömmlichen Modell RLA-4200-V.

Ihre Vorteile auf einen Blick

  • Hoher Durchsatz durch standardmäßig integrierte Vakuum-Load-Lock-Technologie.
  • Automatisierte Suszeptor-Übertragung für SiC- und GaN-Wafer – effizient und zuverlässig.
  • Halogenlampen in innovativer Kreuzanordnung für gleichmäßige Temperaturverteilung.
  • Präzise Prozessführung durch 6-Zonen-Steuerung mit individueller Leistungsregelung.
  • Berührungslose Temperaturmessung mit Strahlungspyrometern und intelligenter Feedback-Kontrolle.
  • Neues 2-Kammer-Modell mit optimierten Transport- und Kühlsektionen: bis zu 2,4-fache Produktivität gegenüber dem RLA-4200-V.
RLA 4100

IH-RTP: Induktiv beheizte RTP-Anlage

Die schnelle technische Entwicklung in der Halbleiterindustrie erfordert die kontinuierliche Neu- und Weiterentwicklung von leistungsfähigen und zugleich kostengünstigen Prozessanlagen. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, hat JTEKT Thermo Systems (ehemals Koyo Thermo Systems) seine langjährige Erfahrung in der thermischen Prozessierung von Halbleiterwafern mit der Expertise von Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. (MES) im Bereich induktiver Heizsysteme kombiniert. Das Ergebnis dieser Zusammenarbeit ist die induktiv beheizte RTP-Anlage (IH-RTP) für die Prozessierung von 300-mm- und 200-mm-Wafern.

Ihre Vorteile auf einen Blick

  • Fünf- bis zehnmal höhere Aufheizraten als widerstandsbeheizte Batch-Öfen (bis zu 1.000 °C/Min).
  • Hohe Temperaturgleichmäßigkeit und Prozessstabilität vergleichbar mit konventionellen Öfen.
  • Vermeidung von Slip-Bildung selbst bei extrem hohen Aufheizraten.
  • Ideal für 300-mm-Produktionslinien mit hohem Durchsatz, kleinem thermischen Budget und geringem Energieverbrauch.
  • Besonders geeignet für Nassoxidation bei hohen Temperaturen sowie das Tempern von low-k- und high-k-Schichten.
  • Induktivheizung mit Steuerung, Generator und mehreren Induktionsspulen für präzise Energieeinbringung.
  • Automatisierungskomponenten für zuverlässige und effiziente Prozessabläufe.
RLA 4100
RTP / RTA Merkmale und Eigenschaften
Technische Merkmale Produktdaten
Rapid Thermal Processing Einzelwafer-Prozessanlage mit Heißwand-Reaktorkammer und induktiver Beheizung. Aufheizraten bis 1.000 °C/min.
Flexible Produktion Geeignet für Produktionslinien mit unterschiedlichen Anforderungen und kleine Losgrößen. Kurze Prozesszeiten und effiziente Produktion.
Temperaturgleichmäßigkeit Ausgezeichnete Temperaturgleichmäßigkeit und -reproduzierbarkeit vergleichbar mit Batch-Vertikalöfen: 1.000 °C ± 1 °C.
Slip-freier Prozess Optimierte Waferauflage und gleichmäßige Aufheizung verhindern Slip-Bildung.
Energieeinsparung Bis zu 30 % Energieeinsparung nachgewiesen.
Anwendungsbereiche Aktivierung von Dotierstoffen, Donor Killing, Verdichtung abgeschiedener Filme, Gitterausheilung (z. B. nach Ionenimplantation), Silicid- und Sperrschichtausbildung, Hochtemperatur-Nassoxidation (RTO), High-k Tempern, Low-k Tempern, Kupfertempern

JTEKT Thermo Systems und Crystec freuen sich darauf, für sie eine kostengünstige Anlage aufzubauen, die Ihren strengsten Anforderungen entspricht.