Tecnología, Producción, Fabricación y Equipos para la Electrónica de Carburo de Silicio (SiC)
Equipos para la Tecnología SiC
Crystec Technology Trading GmbH
|
La Fabricación de Circuitos de Carburo de Silicio (SiC)
El carburo de silicio es un material semiconductor de banda ancha con propiedades especiales que permite su funcionamiento a altas temperaturas y es especialmente adecuado para dispositivos semiconductores de potencia. La conmutación rápida y eficiente de voltajes y corrientes altas, altas tensiones de ruptura, estabilidad contra los efectos de radiación y buena conductividad térmica son las propiedades positivas del carburo de silicio. Las desventajas son el alto costo y las altas temperaturas necesarias para el procesamiento.
La fabricación de circuitos integrados se divide en procesos de frontend para la fabricación de la electrónica de conmutación y en el proceso de backend para la interconexión de los circuitos. La estructuración se realiza a través de procesos de litografía. Incluyen recubrimiento, exposición, desarrollo, pasos de proceso como grabado o deposición de capas, y eliminación final del recubrimiento. Podemos proporcionar equipos adecuados para numerosos pasos de producción para la fabricación de circuitos SiC, tanto para I+D como para la producción en masa.
Particularmente críticos son los procesos térmicos, ya que la fabricación de circuitos SiC requiere temperaturas muy altas, especialmente para la activación eléctrica de impurezas implantadas Al, B (p-dopado), N o P (n-dopado). Los hornos para el procesamiento de carburo de silicio deben poder alcanzar hasta 2000°C, mientras que para la fabricación de circuitos de silicio o GaAs, generalmente temperaturas hasta 1200°C son suficientes. Solo desde hace poco tiempo existen hornos verticales de alta temperatura que pueden alcanzar tales temperaturas con la ayuda de calentadores de MoSi2 o calentadores de grafito.
Fabricación de Transistores SiC
Al igual que en la fabricación de circuitos de silicio, la fabricación de electrónica de carburo de silicio implica procesos de litografía, pasos de grabado y deposición de capas mediante sputtering o evaporación, así como pasos de dopado y difusión o activación. Sin embargo, las temperaturas necesarias son mucho más altas, en el rango de 1400°C para los procesos LPCVD para la deposición de capas dieléctricas, oxinitruro u óxido de TEOS, o 1800-2000°C para la activación de impurezas implantadas.
| Litografía |
 |
Alineador de Máscara |
|
 |
|
|
|
| Grabado |
|
Grabador de Plasma |
|
|
|
|
|
| Implantación de Iones |
|
bajo consulta |
|
|
|
|
|
| Activación |
|
Horno de Alta Temperatura 2000°C |
 |
|
|
|
|
| Oxinitruración |
|
Horno LPCVD de Alta Temperatura 1400°C |
|
|
|
|
|
| Deposición de TEOS |
|
Horno LPCVD |
|
Contacto
Al contactar los circuitos, también son necesarios pasos de litografía y grabado. Para la contactación, se aplican capas de metal y se contactan con alambres.
Los pasos de temple deben ser lo más cortos posible y, por lo tanto, se utilizan instalaciones RTP para esto.
| Litografía |
|
Alineador de Máscaras |
|
|
|
|
|
| Agujeros de Contacto |
|
Grabador de Plasma |
|
|
|
|
|
| Temple PDA (post deposition anneal) |
|
Instalación RTP |
|
|
|
|
|
| Electrodo en la Parte Posterior |
|
Instalación de Deposición o Sputtering |
|
|
|
|
|
| Temple de Contacto |
|
Instalación RTP 1200°C |
|
|
|
|
|
| Cableado |
|
Bonder |
 |
Ofrecemos tanto equipos pequeños de carga manual para investigación y desarrollo como máquinas totalmente automáticas para producción en masa, que trabajan de casete a casete.
Con gusto le ofrecemos un equipo que se adapte a sus necesidades, posiblemente también usado, y podemos realizar pruebas para usted en los diferentes centros de aplicación de nuestros socios.
¡Contáctenos!
