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SiC Siliziumkarbid Elektronik, Technologie und Herstellung
Technologie, Produktion, Herstellung und Anlagen für die SiC Siliziumkarbid Electronic
Anlagen für die SiC-Technologie Crystec Technology Trading GmbH
Die Herstellung von SiC Siliciumkarbid-Schaltkreisen
Siliciumkarbid ist ein Breitband-Halbleitermaterial mit besonderen Eigenschaften, das den Betrieb bei hohen
Temperaturen erlaubt und besonders gut für Leistungshalbleiter geeignet ist. Das schnelle und effiziente Schalten hoher
Spannungen und Ströme, hohe Durchbruchspannungen, Stabilität gegen Strahlungseffekte und gute Wärmeleitfähigkeit sind die positiven Eigenschaften von Siliciumkarbid.
Nachteile sind der hohe Preis und die nötigen hohen Temperaturen für die Prozessierung.
Die Herstellung von integrierten Schaltkreisen wird unterteilt in den Frontend-Prozesse zur Herstellung der Schaltelektronik
und in den Backend-Prozess zur Kontaktierung der Schaltkreise. Strukturierung findet über Lithographie-Prozesse statt.
Sie bestehen aus Belackung, Belichtung, Entwicklung, Prozesschritte wie Ätzen oder Schicht-Abscheidung, sowie abschließender
Lackentfernung. Wir können für zahlreiche Produktionsschritte zur Herstellung von SiC-Schaltkreisen die passenden
Anlagen liefern, sowohl für F&E, wie auch für die Massenproduktion.
Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse, da für die Prozessierung von SiC-Schaltkreisen sehr hohe Temperaturen
erforderlich sind, insbesondere für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung).
Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung
von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es
Hochtemperatur-Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi2-Heizern
bzw. Graphit-Heizern erreichen können.
SiC Transistor-Herstellung
Wie auch bei der Herstellung von Silicium-Schaltkreisen, besteht die Herstellung von SiC-Elektronik aus
Lithographie-Prozessen, Ätzschritten und Schichtabscheidungen durch Sputtern oder Bedampfen, sowie Dotier- und Diffusions- bzw.
Aktivierungsschritten. Die benötigten Temperaturen liegen allerdings wesentlich höher, im Bereich von 1400°C für die
LPCVD-Prozesse zur Abscheidung von Dielektrika-Schichten, Oxynitrid bzw. Oxid aus TEOS, bzw. 1800-2000°C für die Aktivierung
von implantierten Dotierstoffen.
Lithographie
Mask Aligner
Ätzung
Plasma-Ätzer
Ionenimplantation
auf Anfrage
Aktivierung
Hochtemperaturofen 2000°C
Oxynitrierung
Hochtemperatur-LPCVD-Ofen 1400°C
TEOS-Abscheidung
LPCVD-Ofen
Kontaktierung
Bei der Kontaktierung der Schaltkreise sind ebenfalls Lithographieschritte und Ätzschritte nötig.
Zur Kontaktierung werden Metallschichten aufgebracht und mit Drähten kontaktiert. Temperschritte sollten möglichst
kurz sein und daher finden RTP-Anlagen hierfür Verwendung.
Lithographie
Mask Aligner
Kontaktlöcher
Plasma-Ätzer
PDA (post deposition anneal) Tempern
RTP-Anlage
Rückseitenelektrode
Bedampf- bzw. Sputteranlage
Kontakt-Tempern
RTP-Anlage 1200°C
Verdrahtung
Bonder
Es können sowohl kleine, manuell zu beladende Anlagen für Forschung und Entwicklung angeboten
werden, wie auch vollautomatische Maschinen für die Massenproduktion, die von Kasette zu Kasette arbeiten.
Wir bieten Ihnen gerne eine für Sie passende Anlage an, evt. auch gebraucht und wir können in den
verschiedenen Anwendungszentren unserer Partner auch gerne Tests für Sie fahren.
Bitte kontaktieren Sie uns!
